Dünyanın en büyük bellek üreticisi olan Samsung, bellek teknolojilerinde yeni bir kilometre taşına ulaşarak dünyanın ilk 900 katmanlı V-NAND flaş bellek çipi prototipini geliştirdi. İki adet 450 katmanlı hücre birleştirildi
Güney Kore merkezli ETNews’in haberine göre, Samsung’un geliştirdiği prototipte “Cell Multi-Bonding (CMB)” adı verilen yeni bir üretim yöntemi kullanılıyor. Bu teknoloji, iki adet 450 katmanlı hücre wafer’ını birleştirerek tek bir NAND çipi oluşturuyor. Katman sayısındaki artış, depolama yoğunluğunu yükseltirken güç tüketimini düşürüyor. Bu tarz yüksek yoğunluklu bellek yapıları özellikle yapay zeka sunucuları ve veri merkezi uygulamaları için büyük avantaj sunuyor.
Yüksek katmanlı NAND pazarında şu anda 321 katmanlı çözümleriyle öne çıkan SK Hynix lider konumda görülüyor. Ancak Samsung’un hem 400 katmanlı 10. nesil NAND çiplerinin seri üretimine hazırlanması hem de araştırma aşamasında 900 katman seviyesine ulaşması, şirketin teknoloji yarışında önemli avantaj elde ettiğini gösteriyor.
Samsung, 2013 yılında dünyanın ilk ticari 3D V-NAND belleğini piyasaya süren şirket olmuştu. Ancak katman sayıları arttıkça wafer eğilmesi ve hizalama sorunları gibi üretim zorlukları ortaya çıktı. Şirketin bu sorunları gelişmiş “Upper Chuck” tasarımı ve “Overlay Correction” teknolojileriyle çözdüğü belirtiliyor. Bunun yanında Samsung’un Bitline (BL) ve Wordline (WL) mimarisinde yaptığı geliştirmeler sayesinde güç tüketimini azaltırken çip boyutlarını da küçülttüğü ifade ediliyor.
Öte yandan Çinli bellek üreticisi Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC), NAND pazarındaki rekabeti giderek kızıştırıyor. Şirket, devlet destekli yatırımlar ve yerelleştirilen üretim ekipmanları sayesinde 294 katmanlı NAND çiplerinin seri üretimine başlamış durumda.
